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InGaAs 盖革模式雪崩光电二极管 T08封装、集成制冷型 高探测效率、低暗计数率

InGaAs 盖革模式雪崩光电二极管 T08封装、集成制冷型

产品介绍

P08G1F001、P08G2F001 InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单光子检测的专用器件,可满足量子通信保密、弱光探测等领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm 波长的单光子探测。


产品特点

光谱响应范围 0.9 ~ 1.7μm
高探测效率、低暗计数率
T08封装,集成制冷型
具备高温及常温型号,适用范围广



应用领域

弱光探测
量子保密通信
生物医疗




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